之后，金被智讨论了最近出现的用于处理碱性析氧反应(OER)和析氢反应(HER)的先进非贵金属电催化剂，金被智特别关注催化剂合成、活性和稳定性挑战，以及性能改进和行业相关发展。

研究发现，融领人正人工CsV3Sb5具有V型对隙Δ~0.5meV，是一种强耦合超导体(2∆/kBTc~5)，与4a0单向和2a0×2a0电荷顺序共存。费托合成过程中会产生水，域批演残因此在这一新型催化剂中，域批演残研究人员设计了疏水的外壳层从而保护碳化铁内核不受水的氧化作用，同时也能缩短水分子在催化剂表面的停留，限制了水相关的副反应出现。

取代清洗这一途径为今后利用CO2合成化学-生物杂化淀粉开辟了道路。完全再结晶的fcc溶液由等轴和无位错晶粒组成，金被智平均尺寸为1.2μm。利用这一高分辨的综合表征技术，融领人正人工以并五苯分子及其衍生物作为模型体系，融领人正人工结合电、力、光等不同相互作用，实现了对电子态、化学键结构和振动态、化学反应等多维度内禀参量的精密测量。

随着合金元素的增加，域批演残无序状态却能稳定材料、避免其向多相化转变。发展新型高效、取代清洗高选择性的不对称催化反应是推动手性分子精准合成的重要手段。

研究表明，金被智Pt1具有较高的本征WGS活性，比迄今报道的最佳催化剂高一个数量级，而在α-MoC上形成的Pt1和Ptn是高质量特异性活性的关键。

研究表明，融领人正人工可以利用毛细管力驱动的卷起过程将合成的SnS2/WSe2 vdW异质结构从生长基底上分层，融领人正人工并产生具有交替WSe2和SnS2单层的SnS2/WSe2卷成，从而形成高阶SnS2/WSe2 vdW超晶格。NCM85在2.8V和4.3V与Li+/Li之间循环（图4a）和NCM622在2.8V和4.6V之间循环（图4b），域批演残以C/5速率进行长期循环。

虽然上述ASSBs在6-8mgcm-2的典型正极负载下表现出优异的电化学性能，取代清洗但本工作希望增加负载以提供与商业LIBs相当的面积容量（通常3mAhcm-2）。由于商用LIB在正极复合材料中含有超过90wt%的CAM，金被智为了进行比较，本工作还制造了NCM85ASSB，其正极复合材料含有10wt%氯化物SE和90wt%NCM85。

高负载LCOASSB在50°C下循环，融领人正人工甚至更高的电流密度1.79mAcm-2，可提供出色的可逆容量和高比容量以及低得多的过电位（图5b）。通过控制CAM和氯化物SE之间的体积比，域批演残在CAM上获得了半均匀、域批演残片状、薄的SE涂层，如扫描电子显微镜(SEM)图像（图8b、c）和能量色散X-Li2In1/3Sc1/3Cl4涂覆的NCM85的射线光谱(EDX)图（图8d）。